至纯科技：2023年年度报告摘要

发布时间：2024-05-13 04:37:48| 来源：乐鱼平台登录

  1 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全方面了解本公司的经营成果、财务情况及未来发展规划，投资者应当到网站仔细阅读年度报告全文。

  2 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

  4 众华会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

  2023 年度，公司业务保持稳步增长，公司为客户全生命周期提供产品与服务的战略布局已经逐渐成型并取得了显著经营成果。2023年度公司新增订单总额为132.93亿元，其中包含电子材料及专项服务5年-15年期长期订单金额86.61亿元，该部分长期订单的获得是公司经营战略中子战略之“将技术和产品服务化”的初步体现和成果。

  自2015年起，公司紧密围绕国家发布的《中国制造2025》这一国家级顶层规划和路线图，制定了《至纯科技十年战略展望2016-2025》作为内部发展的策略，公司遵循“十年展望、五年规划、三年路径、年度经营目标”的节奏，有序推动战略管理和战略实施。公司的产品业务大多分布在在高纯工艺系统、核心工艺设备和工艺材料和专项服务，服务于泛半导体领域，如集成电路、平板显示、光伏、LED等。

  在2017年上市之际，公司迅速调整经营重心，将核心资源配置到集成电路领域。经过多年的努力，公司已成为国内集成电路领域高纯工艺系统的领导者、湿法设备的领先者，并成功跻身为国内28纳米及以上主流集成电路制造企业的大宗气体主要本土供应商之一。从2017年至2023年，公司年度新增订单从6.7亿元攀升至近133亿元，营业收入从3.7亿元增长到31.5亿元，EBITDA从0.8亿元增长到7.47亿元，归母净利润从0.49亿元提升至3.77亿元。

  近年来，公司面临着巨大的战略机遇与挑战，主要矛盾在于日渐增长的市场机遇与资源有限性之间的冲突。自2017年上市之初，公司明白准确地提出要通过大力投入研发与提升产能建设，以匹配业务的快速地增长。经过不懈努力，公司的研发投入从2017年的0.13亿元跃升至2023年的3.07亿元。在研发技术方面，公司湿法设备产品成功开发了四大平台，覆盖湿法几乎全部工艺，在仍然被国际厂商垄断的部分机台环节，公司保持了国内领先的验证及交付进度。同时，公司在系统集成领域中用到的支持设备如前驱体设备、研磨液设备、气体在线混配设备、侦测器、干式吸附式尾气处理设备、生物反应设备、发酵设备，以及部分核心零部件产品等均投入资源开发了进口替代的产品，为公司的业务拓展夯实了基础。在生产规模上，随市场拓展的加速和公司不断扩充新产品，生产场地从0.9万平米扩展至37万平米，固定资产及在建工程超过20亿。高强度研发投入和重资产投入，彰显了公司创新发展、可持续发展、长期发展的科创报国战略雄心和战略定力，并且在公司业务的高速增长过程中得到了充分印证。

  报告期内，公司扣除非经常性损益的净利润受到财务成本、折旧费用和仍在爬坡中的业务短期亏损的影响，尚未达到理想水平，管理层也已制定切实计划降低财务成本，并且对公司不同业务间的资源分配做调整，未来公司有信心实现净利润增长；由于新签订单持续迅速增加，公司在半导体材料及零部件等原料供给紧张的背景下，为提高供应链运转效率以便加快订单交付，增加了零部件等原材料备货，同时伴随着不断投入研发、产品验证以及在地化供应链建设等需求，报告期内公司的经营性现金流流出较多，随公司产品逐渐通过验证以及近四年持续的在地化供应链建设，同时公司加强应收款回款措施的实施，未来重点改善经营性现金流指标，以实现更为稳健的财务状况。

  公司目前80%的业务服务于集成电路领域，主营业务最重要的包含半导体制程设备、系统集成及支持设备的研发和生产销售，以及由此衍生的部件材料及专业服务。

  半导体设备是半导体技术迭代的基石，是半导体产业的发动机。芯片的制作的完整过程可大致分为前道工艺和后道工艺。前道工艺设备投资占总设备投资的80%以上。企业来提供湿法清理洗涤设施，包括湿法槽式清理洗涤设施及湿法单片式清理洗涤设施，聚焦晶圆制造的前道工艺，主要使用在于扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积等关键工序段前后。高端产品有SPM高温硫酸、去胶、晶背清洗等清洗设备。

  单片高温SPM工艺主要用在刻蚀以及离子注入之后的有机物清洗，目的是把晶圆表面反应后残余的光刻胶聚合物清除干净。单片SPM工艺应用贯穿整个先进半导体的前、中段工艺，清洗工艺次数超过30道，是所有湿法工艺中应用最多的一种设备。此外SPM工艺被大范围的应用在浅槽隔离（STI）、接触孔刻蚀后（CT）等高深宽结构，以及鳍式晶体管（FinFET） 、电容（capacitor）等高度复杂图形区域，故SPM 工艺被公认是28/14nm性能要求最高的工艺，也是最具挑战的湿法工艺设备。在至纯科技的单片SPM获得突破之前，所有的单片SPM设备全部由国外厂商所垄断。此外公司开发硫酸回收系统与单片SPM设备搭配使用，最高能轻松实现80%以上的硫酸回收，单台每年可为用户节省160~180万美金的硫酸费用，同时降低用户对危废排放的压力。公司单片清洗机台设计采用类国际一流设备的架构，有自己专利和技术布局。目前产品的各项工艺指标与国际大厂设备是相匹配的，并可实现40纳米以下少于20个剩余颗粒的处理。

  Backside clean（晶背清洗）工艺是在芯片制造工艺中很重要的湿法工艺。半导体生产的全部过程中，对于污染是很重视的，尤其是金属污染。一旦有金属污染将损失巨大。半导体生产设备中，最高单价的就是光刻机，晶圆背面清洗的功能就是将背面的金属污染物清除，把颗粒洗净，让晶圆以最佳状态进入光刻机，避免光刻机因晶圆背面缺陷问题(金属和颗粒)而停机。晶圆背面清洗的重要性及步骤数量随着工艺进步和金属层的增加而增加。目前国内晶圆厂商用的最多的是由海外大厂制造的机台，而公司目前已实现Backside etch（背面蚀刻）功能，达到客户的验收标准。通过背面单片机台清洗后，可实现40纳米以上少于10个剩余颗粒的处理。同时金属污染可控制在1E+9（原子/平方厘米）以内。目前产品的各项工艺指标可对标国际大厂设备指标。

  S300-HS 覆盖40-7nm制程，重点应用于去胶清洗、离子注入后清洗、化学研磨后清洗、镍铂金属去除等工艺 ·高温硫酸回收，有助于节约客户成本 ·高温/高浓度化学品稳定应用·高稳定化学品混配系统·反应腔模组化设计 ·高洁精度零部件

  S300-BS 可覆盖全制程晶背清洗需求 ·特有的晶圆翻转系统·良好的晶背刻蚀均匀性

  S300-CL 覆盖40-28nm制程，重点应用于接触孔清洗、炉管前清洗、薄膜沉积前后清洗等工艺 ·更好的机械设计，缩短等待时间·通过化学品回收有效为客户降低经营成本 ·工艺可随世代提升的显著优势

  S300-SV 覆盖90-7nm制程，重点应用于后段有机物清洗及高介电常数金属清洗工艺 ·高稳定化学品混配系统·良好的化学品回收能力·反应腔模组化设计 ·高洁精度零部件

  B300-HT 重点覆盖 28nm氮化硅去除 ·流场优化：重新设计槽体，均匀性与颗粒表现佳 ·浓度控制：可自动侦测并添加药液 ·补酸量控制：可实现小量换酸功能

  泛半导体工艺伴随许多种特殊制程，会使用到大量超高纯（ppt级别）的干湿化学品，这是完成工艺成果的重要介质，其特点是昂贵并伴随排放，因此高纯工艺系统在这其中发挥着重要作用。

  公司为集成电路制造企业及泛半导体产业提供高纯工艺系统的设计、安装、测试调试服务。高纯工艺系统的核心是系统模块设计，系统由专用设备、侦测传感系统、自控及软件系统、管阀件等组成；系统的前端连接高纯介质储存装置，系统的终端连接客户自购的工艺生产设备。

  在集成电路领域，高纯工艺系统最重要的包含高纯特气系统、大宗气体系统、高纯化学品系统、研磨液供应及回收系统、前驱体工艺介质系统等。高纯工艺中的特气设备和系统服务于各类干法工艺机台，高纯化学品设备系统服务于各类湿法系统，专用设备和系统和机台的腔体连成一个工作面，对于良率有重要的影响。

  2021年起，公司将高纯特气设备、高纯化学品供应设备、研磨液供应设备、前驱体供应设备、工艺尾气液处理设备、干法机台气体供应模块等工艺支持性的设备作为单独的分类。该类设备作为和氧化/扩散、刻蚀、离子注入、沉积、研磨、清洗等工艺机台的工艺腔体连为一个工作系统的支持性设备，是和工艺良率息息相关的必要设备，相当于一个工厂的心血管系统。该类设备随着进口替代的展开，在高纯工艺系统中占比慢慢的升高。公司已成为国内该类设备的领先者。

  研磨液供应设备 SDS产品为PNC完全自主研发设备，大多数都用在半导体行业8~12寸晶圆研磨制程。 其核心技术在于通过优化完善混液及循环工艺流程思路、解决SDS供应中常见的结晶堵塞、混液配比异常等问题，满足晶圆高精细研磨制程工艺需求。

  液态前驱体供应柜LDS LDS/PL1000 产品为PNC完全自主研发设备，其核心技术在于以实现脱氦功能的DEGASSER为基础，有效去除溶解于化学品中的He分子，达到机台对工艺高洁净、24h不间断、安全稳定的要求。

  大用量前驱体供应柜BCDS BCDS/PB1000 产品为PNC完全自主研发设备，国内第一家专供LDS液态前驱体大用量输送设备，实现了国内相关设备的零突破。 其核心技术在于通过BCDS给LDS BULK TANK补液，实现LDS无需换瓶操作，减少换瓶次数，最大限度降低LDS换瓶过程中污染，满足机台对大用量化学品、高洁净、安全高效的需求。

  气体在线混配设备MIXER MIXER产品为PNC自主研发设备，大多数都用在毒性、可燃性与惰性气体的在线混配。 其核心技术在于双分析仪器取样点、双路流量控制器、大容量缓冲容器，以提高混配气体浓度稳定性，满足混气供应需求。MIXER设备可混配H2/N2、H2/He、He/N2等

  加热水洗式尾气处理设备HW-500 SCRUBBER / PSCRHW0500 产品为PNC自主研发设备，泛半导体行业的生产的基本工艺处理酸性、碱性、可燃、脱硫及一些特殊气体，设备自主国产化，品质保障且交期快。 其核心技术在于优化高温反应腔体，水洗腔体螺旋喷头设计，提供更高的反应效率、更久的常规使用的寿命，满足厂务清洁、环保、安全的需求。

  干式吸附式尾气处理设备DRYSCRUBBER SCRUBBER / PSCRD0100 产品为PNC自主研发设备，泛半导体行业的生产的基本工艺处理酸性、碱性、可燃、脱硫及一些特殊气体，设备及吸附药剂品质保障且交期快。 其核心技术在于使用先进原料配比制造吸附剂、更高的吸附效率、更长的PM周期、更久的常规使用的寿命，满足厂务清洁、环保、安全的需求。

  （1）基于目前国内半导体关键零部件依赖进口的大背景，公司在海宁设立了半导体模组及部件制造基地。在湿法清理洗涤设施关键零部件技术方面，公司投入了众多资源进行自主研发和合作开发，取得了一定的技术成果，为部件制造奠定了一定的技术基础。海宁部件基地目前为客户进行刻蚀设备腔体中的结构件的精密制造。该项业务的顺利开展有利于推动我们国家关键半导体零部件进口替代，有利于进一步丰富及优化公司的业务结构、增强公司的综合竞争力。

  公司在合肥设立了晶圆再生、部件清洗及表面处理产线，并建有国内首条完整阳极处理线。晶圆再生产线英寸晶圆再生产线，部件清洗及表面处理产线纳米及以上制程的部件提供清洗及表面处理服务。

  当客户设备部件出现阳极氧化层和基底暴露、表面损坏、涂层厚度低于规范标准等情况时，个人会使用水刀、喷砂、阳极氧化、电浆熔射、电弧熔射等工艺对部件进行表面处理及物理、化学洗涤，处理后通过量测设备做各类指标的测量，将设备中的石英、陶瓷、不锈钢、铝等材质的部件恢复到设备原厂零部件出厂等级。

  公司为国内28纳米工艺节点的集成电路制造厂商提供配套，投资建设了半导体级的大宗气体工厂，为用户更好的提供至少15年的高纯大宗气体整厂供应。公司已在上海嘉定建成首座完全国产化的12英寸晶圆大宗气体供应工厂，于2022年初顺利通气并已稳定运行，大宗气站新业务拓展进程顺利。

  第一季度（1-3月份） 第二季度（4-6月份） 第三季度（7-9月份） 第四季度（10-12月份）

  4.1 报告期末及年报披露前一个月末的普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前 10 名股东情况

  股东名称（全称） 报告期内增减 期末持股数量 比例(%) 持有有限售条件的股份数量 质押、标记或冻结情况 股东性质

  国泰君安证券股份有限公司－国联安中证全指半导体产品与设备交易型开放式指数证券投资基金 1,507,931 4,133,388 1.07 0 无 其他

  海南靖戈私募基金管理合伙企业（有限合伙）－靖戈耀武500增强2号私募证券投资基金 3,201,220 3,201,220 0.83 0 无 其他

  上述股东关联关系或一致行动的说明 公司前十名股东，蒋渊、陆龙英、共青城尚纯科技产业投资合伙企业（有限合伙）为一致行动人，公司未知其他是不是真的存在关联关系或一致行动关系。

  1 公司应该依据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。

  参见“第三节 管理层讨论与分析”中的“三、报告期内公司从事的业务情况”。

  2 公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终止上市情形的原因。